| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | D2PAK |
| 漏源极电阻 | 28.0 mΩ |
| 功耗 | 125 W |
| 漏源击穿电压 | 70.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 35.0 A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Bulk |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS VNB35N07TR-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 80 V, 28 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
电源负载分配开关, 低压侧, 40 V输入, 30 A, 0.013 ohm, 1输出, TO-263-3
ST Microelectronics（意法半导体）
“ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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