| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | TO-52 |
| 漏源极电阻 | 5.00 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 1.50 W |
| 漏源极电压(Vds) | 60.0 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.00 A |
Vishay Semiconductor（威世）
N通道60 -V （ D- S）的MOSFET与齐门 N-Channel 60-V (D-S) MOSFETs with Zener Gate
Microchip（微芯）
晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.5 V
Vishay Semiconductor（威世）
DIODES INC. VN10LF 晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.5 V
Cherry
VN 系列 24 V 6 mA 数字 分路传感器 带3个引脚
Diodes Zetex（捷特科）
N 沟道 MOSFET，40V 至 90V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
