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UM6K1NTN
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UM6K1NTN 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:SOT-363
描述:ROHM  UM6K1NTN  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 10 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 V
PDF文件:UM6K1NTN 数据手册 (4 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

UM6K1NTN 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
额定电压(DC)30.0 V
额定电流100 mA
封装SOT-363
漏源极电阻7.00 Ω
极性Dual N-Channel
功耗150 mW
漏源极电压(Vds)30.0 V
漏源击穿电压30.0 V
连续漏极电流(Ids)100 mA
上升时间35.0 ns
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UM6K1NTN 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Cut Tape (CT)
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UM6K1NTN 数据手册

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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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