| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 16 Pin |
| 额定电压(DC) | 50.0 V |
| 额定电流 | 500 mA |
| 封装 | SOIC |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50V |
| 驱动器/包 | 7 |
| 集电极最大允许电流 | 0.5A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
TI（德州仪器）
达林顿晶体管阵列 DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
ST Microelectronics（意法半导体）
七达林顿阵列 Seven Darlington array
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS ULQ2003AD 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC
ON Semiconductor（安森美）
NPN 复合晶体管，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS ULQ2003AN 双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP
TI（德州仪器）
高电压，大电流达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAYS
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS ULQ2003AQDRQ1 双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 950 mW, 500 mA, SOIC
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS ULQ2003D1013TR 双极晶体管阵列, 达林顿, 双NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS ULQ2003ADR 达林顿晶体管阵列, NPN, 7, 50V
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