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TPS1120D
来自 AiPCBA

TPS1120D 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:TI（德州仪器）
分类:MOS管
封装:SOIC
描述:TEXAS INSTRUMENTS  TPS1120D  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 1.17 A, -15 V, 0.18 ohm, -10 V, -1.25 V
PDF文件:TPS1120D 数据手册 (1 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

TPS1120D 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
额定电压(DC)-15.0 V
额定电流-1.70 A
封装SOIC
输出电压-15.0 V
漏源极电阻180 µΩ
极性P-Channel
功耗840 mW
漏源极电压(Vds)-15.0 V
连续漏极电流(Ids)1.17 A
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TPS1120D 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
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TPS1120D 数据手册

TPS1120D 数据手册
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TPS1120D 其他数据使用手册
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TPS1120D 其他参考文件
TI（德州仪器）
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