TPC6004 数据手册 - Toshiba（东芝）

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流Id Drain Current| 6A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.024Ω/Ohm @3A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.5-1.2V 耗散功率Pd Power Dissipation| 2.2W Description & Applications| Notebook PC Applications Portable Equipment Applications • Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 19 mΩ (typ.) • High forward transfer admittance: |Yfs| = 11 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 20 V) • Enhancement mode: Vth = 0.5 to 1.2 V (VDS = 10 V, ID = 200 µA) 描述与应用| 笔记本电脑应用 便携式设备的应用 •低漏源导通电阻RD（ON）= 19mΩ（典型值） •高正向转移导纳：| YFS|=11 S（典型值） •低漏电流IDSS= 10μA（最大）（VDS=20 V） •增强模式：VTH =0.5至1.2 V（VDS=10V，ID=200μA）