| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-23 |
| 漏源极电阻 | 10.0 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 350 mW |
| 漏源极电压(Vds) | 60V |
| 栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 0.185A |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -185mA/-0.185A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 6Ω @-500mA,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1--3.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| High-Side Switching Low On-Resistance: 6 Ω Low Threshold: –2 V (typ) Fast Swtiching Speed: 20 ns (typ) Low Input Capacitance: 20 pF (typ) Gate-Source ESD Protection 描述与应用| 高边开关 低导通电阻：6Ω 低阈值：-2 V（典型值） 快速Swtiching的速度：20 n（典型值） 低输入电容20 PF（典型值） 门源ESD保护
Vishay Semiconductor（威世）
TP0610K P沟道MOS场效应管 -60V -185mA 6ohm SOT-23 marking/标记 6K 高速开关 低导通电阻 栅源ESD保护
VISHAY（威世）
P沟道60 V （D -S ）的MOSFET P-Channel 60 V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY TP0610K-T1-E3 场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, -185mA, SOT-23, 整卷
Microchip（微芯）
晶体管, MOSFET, P沟道, -120 mA, -60 V, 10 ohm, -10 V, -2.4 V
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY TP0610K-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -185 mA, -60 V, 10 ohm, -4.5 V, -2 V
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