| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 80.0 V |
| 额定电流 | 10.0 A |
| 封装 | TO-218 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 125 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 60.0 V |
| 集电极最大允许电流 | 10A |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ST Microelectronics（意法半导体）
互补硅功率达林顿晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
ON Semiconductor（安森美）
达林顿互补硅功率晶体管 Darlington Complementary Silicon Power Transistors
Multicomp
MULTICOMP TIP141 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 125 W, 10 A, 1000 hFE
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR TIP141G. 达林顿双极晶体管
ST Microelectronics（意法半导体）
Fairchild（飞兆/仙童）
整体结构与内置的基线发射器分流电阻器 Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors
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