TC58BYG1S3HBAI6 数据手册 - Toshiba（东芝）

制造商:	Toshiba（东芝）
分类:	存储芯片
封装:	67-VFBGA
描述:	NAND闪存 1.8V 2Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

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TC58BYG1S3HBAI6 技术参数、封装参数

类型	描述
封装	67-VFBGA

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tray

Toshiba（东芝）

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Toshiba（东芝）

NAND闪存 1.8V 2Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)

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