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STY60NM60
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STY60NM60 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:MAX247™
描述:N沟道600V - 0.050ohm - 60A MAX247齐纳保护MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.050ohm - 60A Max247 Zener-Protected MDmesh⑩Power MOSFET
PDF文件:STY60NM60 数据手册 (8 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

STY60NM60 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)600 V
额定电流60.0 A
封装MAX247™
漏源极电阻50.0 mΩ
极性N-Channel
功耗560 W
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
栅源击穿电压-30.0 V to 30.0 V
连续漏极电流(Ids)60.0 A
上升时间95.0 ns
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STY60NM60 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
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STY60NM60 数据手册

STY60NM60 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
8 页 / 0.28 MByte
STY60NM60 产品修订记录
ST Microelectronics（意法半导体）
5 页 / 0.04 MByte
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