| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 500 V |
| 额定电流 | 60.0 A |
| 封装 | TO-247 |
| 漏源极电阻 | 50.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 560 W |
| 漏源极电压(Vds) | 500 V |
| 漏源击穿电压 | 500 V |
| 栅源击穿电压 | -30.0 V to 30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 60.0 A |
| 上升时间 | 58.0 ns |
ST Microelectronics（意法半导体）
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STMICROELECTRONICS STY60NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 500 V, 50 mohm, 10 V, 4 V
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N沟道600V - 0.050ohm - 60A MAX247齐纳保护MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.050ohm - 60A Max247 Zener-Protected MDmesh⑩Power MOSFET
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N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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