| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247 |
| 极性 | N-Channel |
N 通道 MDmesh™，800V/1500V，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STW9N150 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 1.5 kV, 1.8 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道200 V， 0.019 Ω ， 83 A， TO- 247低栅极电荷的STripFET ™功率MOSFET N-channel 200 V, 0.019 Ω, 83 A, TO-247 low gate charge STripFET™ Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道800V - 0.85ohm - 9.3A - TO- 247 MOSFET的PowerMESH N-CHANNEL 800V - 0.85ohm - 9.3A - TO-247 PowerMESH MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。
Seoul Semiconductor（首尔半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道900V - 0.85ohm - 9.7A - TO- 247 MOSFET的PowerMESH N-CHANNEL 900V - 0.85ohm - 9.7A - TO-247 PowerMESH MOSFET
Seoul Semiconductor（首尔半导体）
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