Datasheet 搜索 > MOS管 > ST Microelectronics（意法半导体） > STW8NK80Z Datasheet 文档
STW8NK80Z
来自 AiPCBA

STW8NK80Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-247
描述:STMICROELECTRONICS  STW8NK80Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V
PDF文件:STW8NK80Z 数据手册 (15 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

STW8NK80Z 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)800 V
额定电流6.20 A
封装TO-247
漏源极电阻1.50 Ω
极性N-Channel
功耗140 W
漏源极电压(Vds)800 V
漏源击穿电压800 V
栅源击穿电压-30.0 V to 30.0 V
连续漏极电流(Ids)6.20 A
查看数据手册 >

STW8NK80Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
查看数据手册 >

STW8NK80Z 数据手册

STW8NK80Z 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
15 页 / 0.4 MByte
STW8NK80Z 其他数据使用手册
ST Microelectronics（意法半导体）
20 页 / 2.6 MByte
STW8NK80Z 产品修订记录
ST Microelectronics（意法半导体）
32 页 / 0.51 MByte

STW8NK80 数据手册

STW8NK80Z 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS  STW8NK80Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet