| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 1.00 kV |
| 额定电流 | 7.30 A |
| 封装 | TO-247 |
| 漏源极电阻 | 1.30 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 190 W |
| 漏源极电压(Vds) | 1.00 kV |
| 漏源击穿电压 | 1.00 kV |
| 栅源击穿电压 | -30.0 V to 30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 7.30 A |
| 上升时间 | 13.0 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
| 包装方式 | Tube |
ST Microelectronics（意法半导体）
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Seoul Semiconductor（首尔半导体）
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N沟道900V - 1.1欧姆 - 7.6A TO- 247齐纳保护PowerMESH⑩III MOSFET N-CHANNEL 900V - 1.1 ohm - 7.6A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
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N - CHANNEL 1000V - 1.2ohm- 8A - TO- 247 MOSFET的PowerMESH N - CHANNEL 1000V - 1.2ohm- 8A - TO-247 PowerMESH MOSFET
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STMICROELECTRONICS STW88N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 84 A, 650 V, 0.024 ohm, 10 V, 4 V
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