| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 1.50 kV |
| 额定电流 | 4.00 A |
| 封装 | TO-247 |
| 漏源极电阻 | 7.00 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 160 W |
| 输入电容 | 1.30 nF |
| 栅电荷 | 50.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 1.50 kV |
| 漏源击穿电压 | 1.50 kV |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.00 A |
N 通道 MDmesh™，800V/1500V，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STW4N150 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 1.5 kV, 7 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STW43NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 35 A, 600 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STW48NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 39 A, 600 V, 0.055 ohm, 10 V, 3.2 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N-沟道 650 V 0.07 Ω 300 W 法兰安装 MDmesh M2 功率 Mosfet - TO-247-3
ST Microelectronics（意法半导体）
STW40N60M2 系列 600 V 0.088 Ohm 法兰安装 N 沟道 功率 Mosfet - TO-247
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STW45NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 550 V, 100 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STW40NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 200 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道200V - 0.038欧姆 - 40A TO- 220 / TO- 247 / D2PAK低栅电荷的STripFET MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.038 OHM - 40A TO-220/TO-247/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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