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STW20NM60FD
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STW20NM60FD 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-247
描述:N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics
PDF文件:STW20NM60FD 数据手册 (15 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

STW20NM60FD 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)600 V
额定电流20.0 A
封装TO-247
漏源极电阻290 mΩ
极性N-Channel
功耗214 W
输入电容1.30 nF
栅电荷37.0 nC
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
栅源击穿电压-30.0 V to 30.0 V
连续漏极电流(Ids)20.0 A
上升时间12.0 ns
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STW20NM60FD 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
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STW20NM60FD 数据手册

STW20NM60FD 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
15 页 / 0.32 MByte
STW20NM60FD 产品修订记录
ST Microelectronics（意法半导体）
32 页 / 0.51 MByte
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