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STW12NK90Z
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STW12NK90Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-247
描述:STMICROELECTRONICS  STW12NK90Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 900 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 V
PDF文件:STW12NK90Z 数据手册
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

STW12NK90Z 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)900 V
额定电流11.0 A
封装TO-247
漏源极电阻880 mΩ
极性N-Channel
功耗230 W
漏源极电压(Vds)900 V
漏源击穿电压900 V
栅源击穿电压-30.0 V to 30.0 V
连续漏极电流(Ids)11.0 A
上升时间20.0 ns
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STW12NK90Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
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STW12NK90Z 数据手册

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ST Microelectronics（意法半导体）
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STW12NK90Z 产品修订记录
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STW12NK90 数据手册

STW12NK90Z 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS  STW12NK90Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 900 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 V
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