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STW12NK80Z
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STW12NK80Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-247
描述:STMICROELECTRONICS  STW12NK80Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.5 A, 800 V, 0.65 ohm, 10 V, 3.75 V
PDF文件:STW12NK80Z 数据手册 (22 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

STW12NK80Z 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)800 V
额定电流10.5 A
封装TO-247
漏源极电阻750 mΩ
极性N-Channel
功耗190 W
漏源极电压(Vds)800 V
漏源击穿电压800 V
栅源击穿电压-30.0 V to 30.0 V
连续漏极电流(Ids)10.5 A
上升时间18.0 ns
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STW12NK80Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
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STW12NK80Z 数据手册

STW12NK80Z 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
22 页 / 0.67 MByte
STW12NK80Z 其他数据使用手册
ST Microelectronics（意法半导体）
20 页 / 2.6 MByte
STW12NK80Z 产品修订记录
ST Microelectronics（意法半导体）
32 页 / 0.51 MByte
STW12NK80Z 其他参考文件
ST Microelectronics（意法半导体）
1 页 / 0.12 MByte

STW12NK80 数据手册

STW12NK80Z 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS  STW12NK80Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.5 A, 800 V, 0.65 ohm, 10 V, 3.75 V
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