类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 800 V |
额定电流 | 11.0 A |
封装 | TO-247 |
漏源极电阻 | 400 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 150 W |
漏源极电压(Vds) | 800 V |
漏源击穿电压 | 800 V |
栅源击穿电压 | -30.0 V to 30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 5.50 A |
上升时间 | 17.0 ns |
N 通道 MDmesh™,800V/1500V,STMicroelectronics
●### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STW11NM80 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 350 mohm, 10 V, 4 V
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N沟道800V - 0.65ohm - 11A - T0-247的PowerMESH MOSFET N-CHANNEL 800V - 0.65ohm - 11A - T0-247 PowerMESH MOSFET
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