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STW11NK100Z
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STW11NK100Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-247
描述:STMICROELECTRONICS  STW11NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 1 kV, 1.38 ohm, 10 V, 3.75 V
PDF文件:STW11NK100Z 数据手册 (14 页)
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符号图
焊盘图
引脚图
产品图

STW11NK100Z 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)1.00 kV
额定电流8.30 A
封装TO-247
漏源极电阻1.38 Ω
极性N-Channel
功耗230 W
漏源极电压(Vds)1.00 kV
漏源击穿电压1.00 kV
栅源击穿电压-30.0 V to 30.0 V
连续漏极电流(Ids)8.30 A
上升时间18.0 ns
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STW11NK100Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
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STW11NK100Z 数据手册

STW11NK100Z 数据手册
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14 页 / 0.3 MByte
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STW11NK100 数据手册

STW11NK100Z 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS  STW11NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 1 kV, 1.38 ohm, 10 V, 3.75 V
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