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STS8C5H30L
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STS8C5H30L 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:SOIC
描述:STMICROELECTRONICS  STS8C5H30L  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 8 A, 30 V, 0.018 ohm, 10 V, 1.6 V
PDF文件:STS8C5H30L 数据手册 (14 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

STS8C5H30L 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
额定电流8.00 A
封装SOIC
漏源极电阻22.0 mΩ
极性N-Channel, P-Channel
功耗1.60 W
漏源极电压(Vds)30.0 V
漏源击穿电压30.0 V
栅源击穿电压-16.0 V to 16.0 V
连续漏极电流(Ids)8.00 A, 4.20 A
上升时间35.0 ns
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STS8C5H30L 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Cut Tape (CT)
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STS8C5H30L 数据手册

STS8C5H30L 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
14 页 / 0.45 MByte
STS8C5H30L 产品封装文件
ST Microelectronics（意法半导体）
18 页 / 0.83 MByte
STS8C5H30L 产品修订记录
ST Microelectronics（意法半导体）
5 页 / 0.04 MByte
STS8C5H30L 其他参考文件
ST Microelectronics（意法半导体）
1 页 / 0.13 MByte

STS8C5H30 数据手册

STS8C5H30L 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS  STS8C5H30L  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 8 A, 30 V, 0.018 ohm, 10 V, 1.6 V
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