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STS4DPFS30L
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STS4DPFS30L 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:SOIC
描述:P沟道30V - 0.07ohm - 4A SO- 8 MOSFET STripFET⑩ PLUS肖特基整流器 P-CHANNEL 30V - 0.07ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER
PDF文件:STS4DPFS30L 数据手册 (9 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

STS4DPFS30L 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
额定电压(DC)-30.0 V
额定电流-5.00 A
封装SOIC
漏源极电阻45.0 mΩ
极性P-Channel
功耗2.50 W
漏源极电压(Vds)30.0 V
漏源击穿电压30.0 V
栅源击穿电压-16.0 V to 16.0 V
连续漏极电流(Ids)5.00 A
上升时间35.0 ns
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STS4DPFS30L 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Cut Tape (CT)
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STS4DPFS30L 数据手册

STS4DPFS30L 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
9 页 / 0.35 MByte
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STS4DPFS30 数据手册

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ST Microelectronics（意法半导体）
P沟道30V - 0.07ohm - 4A SO- 8 MOSFET STripFET⑩ PLUS肖特基整流器 P-CHANNEL 30V - 0.07ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER
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