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STS4DNF30L
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STS4DNF30L 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:晶体管
封装:SOIC
描述:双N沟道30V - 0.039ohm - 4A SO- 8的STripFET TM功率MOSFET Dual N-channel 30V - 0.039ohm - 4A SO-8 STripFET TM Power MOSFET
PDF文件:STS4DNF30L 数据手册 (12 页)
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符号图
焊盘图
引脚图
产品图

STS4DNF30L 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
额定电压(DC)30.0 V
额定电流4.00 A
封装SOIC
漏源极电阻50.0 mΩ
极性N-Channel
功耗2.00 W
输入电容330 pF
漏源极电压(Vds)30.0 V
漏源击穿电压30.0 V
栅源击穿电压-16.0 V to 16.0 V
连续漏极电流(Ids)4.00 A
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STS4DNF30L 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Reel
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STS4DNF30L 数据手册

STS4DNF30L 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
12 页 / 0.58 MByte
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STS4DNF30 数据手册

STS4DNF30L 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
双N沟道30V - 0.039ohm - 4A SO- 8的STripFET TM功率MOSFET Dual N-channel 30V - 0.039ohm - 4A SO-8 STripFET TM Power MOSFET
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