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STS2DNF30L
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STS2DNF30L 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:SOIC
描述:STMICROELECTRONICS  STS2DNF30L  功率场效应管, MOSFET
PDF文件:STS2DNF30L 数据手册 (12 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

STS2DNF30L 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
额定电压(DC)30.0 V
额定电流3.00 A
封装SOIC
漏源极电阻90.0 mΩ
极性Dual N-Channel
功耗2.00 W
漏源极电压(Vds)30.0 V
漏源击穿电压30.0 V
栅源击穿电压-18.0 V to 18.0 V
连续漏极电流(Ids)3.00 A
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STS2DNF30L 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Cut Tape (CT)
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STS2DNF30L 数据手册

STS2DNF30L 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
12 页 / 0.28 MByte
STS2DNF30L 产品修订记录
ST Microelectronics（意法半导体）
5 页 / 0.04 MByte

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