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STS1NK60Z
来自 AiPCBA

STS1NK60Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:SOIC
描述:N沟道600V - 13W - 0.25A - SO- 8齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-CHANNEL 600V - 13W - 0.25A - SO-8 Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFET
PDF文件:STS1NK60Z 数据手册 (8 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

STS1NK60Z 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
额定电压(DC)600 V
额定电流250 mA
封装SOIC
漏源极电阻15.0 Ω
极性N-Channel
功耗2.00 W
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
栅源击穿电压-30.0 V to 30.0 V
连续漏极电流(Ids)250 mA
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STS1NK60Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape
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STS1NK60Z 数据手册

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N沟道600V - 13W - 0.25A - SO- 8齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-CHANNEL 600V - 13W - 0.25A - SO-8 Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFET
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