类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
额定电压(DC) | 600 V |
额定电流 | 300 mA |
封装 | SOIC |
漏源极电阻 | 8.50 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 2.00 W |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
漏源击穿电压 | 600 V |
连续漏极电流(Ids) | 190 mA, 300 mA |
上升时间 | 5.00 ns |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Cut Tape (CT) |
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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STS10DN 系列 双 N-沟道 30 V 0.019 Ohm 10 A 功率 MosFet - SOIC-8
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STMICROELECTRONICS STS12NF30L 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 30 V, 0.008 ohm, 10 V, 1 V
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N沟道30 V , 0.019 I© , 10 A , SO - 8 STripFETâ ?? ¢ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.019 Ω, 10 A, SO-8 STripFET⢠V Power MOSFET
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STS1TX Sub-1GHz 射频发射器STS1TX 是一种旨在用于 sub-1GHz 频段射频无线应用的超低功率射频发射器。 它设计用于以 169、315、433、868 和 915MHz 在免许可 ISM 和 SRD 频段下操作,但还可经编程以在 300-348MHz、387-470MHz 和 779-956MHz 频段的其他频率下操作。 STS1TX 与无线 M-Bus 协议完全兼容。射频频段:150-174MHz、300-348MHz、387-470MHz、779-956MHz 射频输出功率:高达 +16dBm 调制:FSK、GFSK、MSK、GMSK 或 OOK OTA 数据传输率:高达 500kbps 可编程通道间距(最低 12.5kHz) 数据包处理器具有数据白化、CRC 生成和 FEC 功能,带交叉存取 灵活的数据包长度,具有动态有效载荷长度 AES-128 加密协处理器 96 字节 Tx FIFO 缓冲器 主机通信:串行 SPI 唤醒内部计时器和唤醒外部事件 温度传感器 低电量探测器 电源:+1.8V 至 +3.6V 直流 工作温度范围:-40°C 至 +85°C 应用:机械仪表抄数、家庭和楼宇自动化、无线传感器网络、工业监控和控制、无线消防和安全警报系统、物联网 (IoT) 通信 ### 注与 SPIRIT1 收发器 (RS 771-7027) 兼容。### 认可EN 300 220、FCC CFR47 15(15.205,15.209,15.231,15.247,15.249)、ARIB STD T-67、T93、T-108### 单芯片组件,STMicroelectronics
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N沟道600V - 13W - 0.25A - SO- 8齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-CHANNEL 600V - 13W - 0.25A - SO-8 Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFET
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STMICROELECTRONICS STS11N3LLH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 0.0117 ohm, 10 V, 1 V
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