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STS12NH3LL
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STS12NH3LL 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:SOIC
描述:N沟道30 V - 0.008 Ω - 12 A - SO- 8超低栅极电荷的STripFET ™功率MOSFET N-channel 30 V - 0.008 Ω - 12 A - SO-8 ultra low gate charge STripFET™ Power MOSFET
PDF文件:STS12NH3LL 数据手册 (13 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

STS12NH3LL 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
额定电压(DC)30.0 V
额定电流12.0 A
封装SOIC
漏源极电阻8.00 mΩ
极性N-Channel
功耗2.70 W
漏源极电压(Vds)30.0 V
漏源击穿电压30.0 V
栅源击穿电压-16.0 V to 16.0 V
连续漏极电流(Ids)12.0 A
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STS12NH3LL 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Cut Tape (CT)
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STS12NH3LL 数据手册

STS12NH3LL 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
13 页 / 0.33 MByte
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STS12NH3 数据手册

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N沟道30 V - 0.008 Ω - 12 A - SO- 8超低栅极电荷的STripFET ™功率MOSFET N-channel 30 V - 0.008 Ω - 12 A - SO-8 ultra low gate charge STripFET™ Power MOSFET
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