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STS11NF30L
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STS11NF30L 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:SOIC
描述:N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
PDF文件:STS11NF30L 数据手册 (9 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

STS11NF30L 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
额定电压(DC)30.0 V
额定电流11.0 A
封装SOIC
漏源极电阻8.50 mΩ
极性N-Channel
功耗2.50 W
漏源极电压(Vds)30.0 V
漏源击穿电压30.0 V
栅源击穿电压-18.0 V to 18.0 V
连续漏极电流(Ids)11.0 A
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STS11NF30L 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Cut Tape (CT)
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STS11NF30L 数据手册

STS11NF30L 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
9 页 / 0.24 MByte
STS11NF30L 产品修订记录
ST Microelectronics（意法半导体）
5 页 / 0.04 MByte
STS11NF30L 其他参考文件
ST Microelectronics（意法半导体）
1 页 / 0.13 MByte

STS11NF30 数据手册

STS11NF30L 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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