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STP8N65M5
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STP8N65M5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:STMICROELECTRONICS  STP8N65M5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 710 V, 0.56 ohm, 10 V, 4 V
PDF文件:STP8N65M5 数据手册 (25 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

STP8N65M5 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
极性N-Channel
漏源极电压(Vds)650V
连续漏极电流(Ids)7A
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STP8N65M5 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
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STP8N65M5 数据手册

STP8N65M5 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
25 页 / 1.26 MByte
STP8N65M5 其他数据使用手册
ST Microelectronics（意法半导体）
1 页 / 0.13 MByte
STP8N65M5 产品封装文件
ST Microelectronics（意法半导体）
26 页 / 1.42 MByte
STP8N65M5 产品修订记录
ST Microelectronics（意法半导体）
4 页 / 0.01 MByte

STP8N65 数据手册

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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS  STP8N65M5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 710 V, 0.56 ohm, 10 V, 4 V
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