| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 55.0 V |
| 额定电流 | 80.0 A |
| 封装 | TO-220 |
| 漏源极电阻 | 8.00 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 300 W |
| 漏源极电压(Vds) | 55.0 V |
| 漏源击穿电压 | 55.0 V |
| 栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 80.0 A |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP85NF55 场效应管, MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP85N3LH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 4.6 mohm, 10 V, 2.5 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道55V - 0.0060欧姆 - 80A D2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 55V - 0.0060 ohm - 80A D2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
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