| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 900 V |
| 额定电流 | 5.80 A |
| 封装 | TO-220 |
| 漏源极电阻 | 2.00 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 140 W |
| 漏源极电压(Vds) | 500 V |
| 漏源击穿电压 | 900 V |
| 栅源击穿电压 | -30.0 V to 30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.60 A |
| 上升时间 | 20.0 ns |
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics
●### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP6NK90Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.8 A, 900 V, 2 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP6NK90ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.8 A, 900 V, 1.56 ohm, 10 V, 3.75 V
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