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STP6N80K5 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
MOS管
封装:
TO-220-3
描述:
N-沟道 800 V 4.5 A 1.6 Ohm MDmesh™ K5 功率 MosFet -TO-220-3
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
STP6N80K5 数据手册
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STP6N80K5 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
800V
连续漏极电流(Ids)
4.5A
STP6N80K5 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
STP6N80K5 符合标准
STP6N80K5 数据手册
STP6N80K5
其他数据使用手册
ST Microelectronics(意法半导体)
1.11 MByte
STP6N80K5
产品封装文件
ST Microelectronics(意法半导体)
26 页 / 1.25 MByte
STP6N80 数据手册
STP6N80
K5
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
N-沟道 800 V 4.5 A 1.6 Ohm MDmesh™ K5 功率 MosFet -TO-220-3
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示例:
STM32F103
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