| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 60.0 A |
| 封装 | TO-220 |
| 漏源极电阻 | 16.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 110 W |
| 漏源极电压(Vds) | 60.0 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 60.0 A |
| 上升时间 | 108 ns |
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics
●STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP60NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道60V - 0.014ohm - 60A TO- 220 / TO- 220FP STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220FP STripFET⑩ POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP60NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 19 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N - 通道钳位为10Mohm - 60A - TO- 220充分保障MESH OVERLAY MOSFET N - CHANNEL CLAMPED 10mohm - 60A - TO-220 FULLY PROTECTED MESH OVERLAY MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道30V - 0.008Ω - 60A TO- 220的STripFET ™功率MOSFET N-channel 30V - 0.008Ω - 60A TO-220 STripFET™ Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO- 220 / FP的STripFET TM功率MOSFET N-channel 55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO-220/FP STripFET TM Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道30 V ， 0.0072 Ω ， 48采用DPAK ， IPAK ， TO- 220的STripFET ™ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0072 Ω, 48 A DPAK, IPAK, TO-220 STripFET™ V Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N - 沟道增强型单一特征尺寸功率MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N - CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO- 220 / TO- 220FP的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
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