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STP4NK80Z
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STP4NK80Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-220
描述:STMICROELECTRONICS  STP4NK80Z.  场效应管, MOSFET, N沟道, 800V, 3A, TO-220
PDF文件:STP4NK80Z 数据手册 (18 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

STP4NK80Z 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)800 V
额定电流3.00 A
封装TO-220
漏源极电阻3.50 Ω
极性N-Channel
功耗80.0 W
漏源极电压(Vds)800 V
漏源击穿电压800 V
栅源击穿电压-30.0 V to 30.0 V
连续漏极电流(Ids)3.00 A
上升时间12.0 ns
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STP4NK80Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
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STP4NK80Z 数据手册

STP4NK80Z 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
18 页 / 0.53 MByte
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