| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 800 V |
| 额定电流 | 4.00 A |
| 封装 | TO-220 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 800 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.00 A |
| 上升时间 | 8.00 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
| 包装方式 | Tube |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP4NK60ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
单 N沟道 650 V 0.088 Ohm 250 W 通孔 功率 Mosfet - TO-220-3
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP40NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP40NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 200 V, 38 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP45NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 60 V, 28 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N - 沟道增强模式快速功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP4NK60Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 300 V, 0.063 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP45N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 35 A, 650 V, 0.067 ohm, 10 V, 4 V
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