| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 120 V |
| 额定电流 | 40.0 A |
| 封装 | TO-220 |
| 漏源极电阻 | 32.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 150 W |
| 漏源极电压(Vds) | 120 V |
| 漏源击穿电压 | 120 V |
| 栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 160 A |
| 上升时间 | 63.0 ns |
ST Microelectronics（意法半导体）
12 页 / 0.23 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
1 页 / 0.16 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
单 N沟道 650 V 0.088 Ohm 250 W 通孔 功率 Mosfet - TO-220-3
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP40NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP40NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 200 V, 38 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP40NF03L 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 22 mohm, 10 V, 1.7 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道120V - 0.028W - 40A TO- 220低栅电荷STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 120V - 0.028W - 40A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道200V - 0.038欧姆 - 40A TO- 220 / TO- 247 / D2PAK低栅电荷的STripFET MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.038 OHM - 40A TO-220/TO-247/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源（LLC 转换器）。 其配置具有低栅极电荷，以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道150V - 0.042ohm - 40A TO- 220目OVERLAY⑩ MOSFET N-CHANNEL 150V - 0.042ohm - 40A TO-220 MESH OVERLAY⑩ MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
