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STP40N60M2 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
MOS管
封装:
TO-220-3
描述:
单 N沟道 650 V 0.088 Ohm 250 W 通孔 功率 Mosfet - TO-220-3
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
STP40N60M2 数据手册
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STP40N60M2 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
600V
连续漏极电流(Ids)
34A
STP40N60M2 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
STP40N60M2 符合标准
STP40N60M2 数据手册
STP40N60M2
产品封装文件
ST Microelectronics(意法半导体)
21 页 / 1.16 MByte
STP40N60 数据手册
STP40N60
M2
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
单 N沟道 650 V 0.088 Ohm 250 W 通孔 功率 Mosfet - TO-220-3
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示例:
STM32F103
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