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STP3N150
来自 AiPCBA

STP3N150 技术参数、封装参数

STP3N150 外形尺寸、物理参数、其它

STP3N150 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
0.77 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
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STP3 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP36NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道900V - 3.5W - 3A TO- 220 - TO- 220FP齐纳保护SuperMESHTM功率MOSFET N-CHANNEL 900V - 3.5W - 3A TO-220 - TO-220FP Zener-Protected SuperMESHTM Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP3NK60ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 900V - 4欧姆 - 3.5 A - TO- 220 / TO- 220FP的PowerMESH MOSFET N - CHANNEL 900V - 4 ohm - 3.5 A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP30NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 100 V, 45 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP3NK80Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 800 V, 4.5 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP3NK90ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 900 V, 4.8 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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