类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 100 V |
额定电流 | 40.0 A |
封装 | TO-220 |
漏源极电阻 | 35.0 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 115 W |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
漏源击穿电压 | 100 V |
栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 40.0 A |
上升时间 | 60.0 ns |
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics
●### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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