| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 26.0 A |
| 封装 | TO-220 |
| 漏源极电阻 | 55.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 85.0 W |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 26.0 A |
| 上升时间 | 45.0 ns |
N 通道 STripFET™，STMicroelectronics
●### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
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STMICROELECTRONICS STP24NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.168 ohm, 10 V, 3 V
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STMICROELECTRONICS STP24NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 100 V, 0.055 ohm, 10 V, 3 V
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N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性，非常适合用于谐振型开关电源（LLC 转换器）。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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STP24N60DM2 系列 600 V 0.2 Ohm 法兰安装 N 沟道 功率 Mosfet - TO-220
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N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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STMICROELECTRONICS STP24DP05BTR 发光二极管驱动器, 24输出, 恒流, 3V-5.5V输入, 25MHz开关, 20V/80mA输出, HTQFP-48
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N沟道650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO- 220 - TO- 220FP - D2PAK I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO-220 - TO-220FP - D2PAK I2PAK - TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N-沟道 650 V 0.23 Ω 150 W 法兰安装 MDmesh M2 功率 Mosfet - TO-220
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