| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 20.0 A |
| 封装 | TO-220 |
| 漏源极电阻 | 290 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 192 W |
| 输入电容 | 1.30 nF |
| 栅电荷 | 37.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 栅源击穿电压 | -30.0 V to 30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 20.0 A |
| 上升时间 | 12.0 ns |
N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics
●### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP20NM60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 290 mohm, 30 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP20NM60FP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 250 mohm, 30 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP20NM60FD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 290 mohm, 10 V, 4 V
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N沟道650V @ TJMAX - 0.25欧姆 - 20A I2PAK / TO- 220 / TO- 220FP N-CHANNEL 650V@Tjmax - 0.25 Ohm - 20A I2PAK/TO-220/TO-220FP
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