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STP16NK60Z
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STP16NK60Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-220
描述:STMICROELECTRONICS  STP16NK60Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 600 V, 0.38 ohm, 10 V, 3.75 V
PDF文件:STP16NK60Z 数据手册 (15 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

STP16NK60Z 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)600 V
额定电流14.0 A
封装TO-220
漏源极电阻420 mΩ
极性N-Channel
功耗190 W
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
栅源击穿电压-30.0 V to 30.0 V
连续漏极电流(Ids)14.0 A
上升时间25.0 ns
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STP16NK60Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
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STP16NK60Z 数据手册

STP16NK60Z 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
15 页 / 0.72 MByte
STP16NK60Z 其他数据使用手册
ST Microelectronics（意法半导体）
20 页 / 2.6 MByte
STP16NK60Z 产品修订记录
ST Microelectronics（意法半导体）
4 页 / 0.01 MByte
STP16NK60Z 其他参考文件
ST Microelectronics（意法半导体）
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STP16NK60 数据手册

STP16NK60Z 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS  STP16NK60Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 600 V, 0.38 ohm, 10 V, 3.75 V
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