STP15NM60ND 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-220
描述:	STMICROELECTRONICS STP15NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 600 V, 0.27 ohm, 10 V, 4 V
PDF文件:	STP15NM60ND 数据手册 (19 页)
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

STP15NM60ND 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-220
极性	N-Channel
漏源极电压(Vds)	600V
连续漏极电流(Ids)	14A

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STP15NM60ND 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Not Recommended for New Designs
包装方式	Tube

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STP15NM60ND 概述

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N沟道600V - 0.270ヘ - 14A - D2 / I2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.270ヘ - 14A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

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