类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 75.0 V |
额定电流 | 120 A |
封装 | TO-220 |
漏源极电阻 | 7.50 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 310 W |
漏源极电压(Vds) | 75.0 V |
漏源击穿电压 | 75.0 V |
栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 120 A |
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics
●STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
●### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
18 页 / 0.5 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
20 页 / 2.6 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
4 页 / 0.01 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.16 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP140NF75 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 7.5 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ F7 系列,STMicroelectronicsSTMicroelectronics STripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低设备通态电阻,内部电容和栅极电荷降低,以便更快、更高效地切换。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件