| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 500 V |
| 额定电流 | 12.0 A |
| 封装 | TO-220 |
| 漏源极电阻 | 350 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 160 W |
| 漏源极电压(Vds) | 550 V |
| 漏源击穿电压 | 500 V |
| 栅源击穿电压 | -30.0 V to 30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 12.0 A |
| 上升时间 | 10.0 ns |
N 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics
●### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
17 页 / 0.53 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
20 页 / 2.6 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
1 页 / 0.16 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP120NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™ F6，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP12NK80Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.5 A, 800 V, 750 mohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP12PF06 晶体管, MOSFET, P沟道, 10 A, -60 V, 0.18 ohm, 10 V, 3.4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 1.2 kV, 0.62 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP12NK30Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 300 V, 400 mohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600V - 0.53欧姆 - 10A TO- 220 / TO- 220FP齐纳保护SuperMESH⑩MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.53 Ohm - 10A TO-220 / TO-220FP Zener-Protected SuperMESH?MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
