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STP12NK80Z
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STP12NK80Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-220
描述:STMICROELECTRONICS  STP12NK80Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.5 A, 800 V, 750 mohm, 10 V, 3.75 V
PDF文件:STP12NK80Z 数据手册 (22 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

STP12NK80Z 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)800 V
额定电流10.5 A
封装TO-220
漏源极电阻750 mΩ
极性N-Channel
功耗190 W
漏源极电压(Vds)800 V
漏源击穿电压800 V
栅源击穿电压-30.0 V to 30.0 V
连续漏极电流(Ids)10.5 A
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STP12NK80Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
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STP12NK80Z 数据手册

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ST Microelectronics（意法半导体）
22 页 / 0.67 MByte
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20 页 / 2.6 MByte
STP12NK80Z 产品修订记录
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4 页 / 0.01 MByte

STP12NK80 数据手册

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STMICROELECTRONICS  STP12NK80Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.5 A, 800 V, 750 mohm, 10 V, 3.75 V
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