| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 650 V |
| 额定电流 | 11.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 漏源极电阻 | 450 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 35.0 W |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 栅源击穿电压 | -30.0 V to 30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 11.0 A |
| 上升时间 | 20.0 ns |
ST Microelectronics（意法半导体）
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STMICROELECTRONICS STP11NM60 场效应管, MOSFET, N沟道, 650V, 11A, TO-220
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N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP11NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.37 ohm, 10 V, 4 V
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N沟道600V - 0.4ohm -11A TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.4ohm-11A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET
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N沟道600V - 0.40OHM - 11A - TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK FDmesh TM功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 600V - 0.40OHM - 11A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK FDmesh TM Power MOSFET (with fast diode)
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600V - 0.4ohm - 11A TO- 220 / TO- 220FP / I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.4ohm - 11A TO-220/TO-220FP/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET
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N沟道600V - 0.37ohm -10A - TO- 220 ， TO- 220FP- IPAK - DPAK第二代的MDmesh功率MOSFET N-channel 600V-0.37ohm-10A-TO-220-TO-220FP- IPAK-DPAK Second generation MDmesh Power MOSFET
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