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STP10NK80Z
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STP10NK80Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-220
描述:N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
PDF文件:STP10NK80Z 数据手册
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

STP10NK80Z 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)800 V
额定电流9.00 A
封装TO-220
漏源极电阻900 mΩ
极性N-Channel
功耗160 W
漏源极电压(Vds)800 V
漏源击穿电压800 V
栅源击穿电压-30.0 V to 30.0 V
连续漏极电流(Ids)9.00 A
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STP10NK80Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
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STP10NK80Z 数据手册

STP10NK80Z 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
0.55 MByte
STP10NK80Z 其他数据使用手册
ST Microelectronics（意法半导体）
20 页 / 2.6 MByte
STP10NK80Z 产品封装文件
ST Microelectronics（意法半导体）
17 页 / 0.42 MByte
STP10NK80Z 产品修订记录
ST Microelectronics（意法半导体）
4 页 / 0.01 MByte

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