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STP10NK60ZFP
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STP10NK60ZFP 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-220FP
描述:STMICROELECTRONICS  STP10NK60ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.65 ohm, 10 V, 3.75 V
PDF文件:STP10NK60ZFP 数据手册 (19 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

STP10NK60ZFP 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)600 V
额定电流10.0 A
封装TO-220FP
漏源极电阻750 mΩ
极性N-Channel
功耗35.0 W
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
栅源击穿电压-30.0 V to 30.0 V
连续漏极电流(Ids)10.0 A
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STP10NK60ZFP 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
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STP10NK60ZFP 数据手册

STP10NK60ZFP 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
19 页 / 0.83 MByte
STP10NK60ZFP 其他数据使用手册
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20 页 / 2.6 MByte
STP10NK60ZFP 产品封装文件
ST Microelectronics（意法半导体）
24 页 / 0.91 MByte
STP10NK60ZFP 产品修订记录
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STP10NK60ZFP 其他参考文件
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1 页 / 0.13 MByte

STP10NK60 数据手册

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STMICROELECTRONICS  STP10NK60ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.65 ohm, 10 V, 3.75 V
STP10NK60Z 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS  STP10NK60Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 750 mohm, 10 V, 3.75 V
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