类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 4 Pin |
额定电压(DC) | -60.0 V |
额定电流 | -2.50 A |
封装 | SOT-223 |
漏源极电阻 | 200 mΩ |
极性 | P-Channel |
功耗 | 2.50 W |
漏源极电压(Vds) | 60.0 V |
漏源击穿电压 | 60.0 V |
栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 2.50 A |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Cut Tape (CT) |
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STN3NF06L 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 2.8 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STN3PF06 晶体管, MOSFET, P沟道, 2.5 A, -60 V, 200 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STN3NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 60 V, 0.07 ohm, 20 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STN3N40K3 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 400 V, 3 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STN3N45K3 晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 450 V, 3.2 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 60V - 0.10欧姆 - 3A - SOT- 223 STripFETO功率MOSFET N - CHANNEL 60V - 0.10 ohm - 3A - SOT-223 STripFETO POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 60V - 0.08ohm- 3A - SOT- 223的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 60V - 0.08ohm- 3A - SOT-223 STripFET POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STN3NF10 N沟道MOSFET 30V 4A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 STN3NF 高速开关/低导通电阻
AUK Semiconductor(韩国光电子)
STN3906S PNP三极管 -40V -100mA/-0.1A 250MHz 100~300 -500mV/-0.5V SOT-23/SC-59 marking/标记 JA 小信号放大器
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